报道核心：深圳实验室完成EUV原型机测试
据路透社12月18日的独家报道，中国科学家已在深圳建造出一台功能性的EUV光刻机原型机。
这台原型机于2025年初完成，目前正在进行全面测试。该设备规模庞大，几乎占据整个工厂楼层，与荷兰ASML公司生产的最新High-NA EUV机器的尺寸相当。
路透社的消息源透露，该原型机已经能够成功产生极紫外光，这是EUV光刻技术中最核心且技术门槛极高的一步。
目前，这台原型机尚未生产出可工作的芯片，这表明从产生光源到实际制造芯片仍存在需要攻克的技术难题。
技术来源：ASML前工程师团队完成逆向工程
路透社报道指出，这台EUV光刻机是由一群曾在荷兰ASML公司工作过的工程师团队建造的，他们通过逆向工程的方式，成功复制了ASML的EUV技术。
这些工程师团队利用二手部件重新组装和调试，最终制造出了这台可以工作的EUV原型机。这表明，中国技术人员已经掌握了EUV光刻机复杂系统的集成能力。
光刻机作为全球科技含量最高的工业设备之一，其核心技术一直被西方严格封锁。中国发展这项技术的背景是美国自2018年开始推动的对华EUV设备"零出口"政策。
行业分析认为，一旦中国实现了EUV光刻机从"无"到"有"的突破，技术封锁的绝对性将被动摇。
目标挑战：从点亮光源到芯片量产仍需时间
路透社的消息源透露了中国在EUV项目上的时间表：中国政府的计划是到2028年使用这台原型机生产出可工作的芯片。
然而，参与项目的人员表示，到2030年实现这一目标可能更为现实。这一时间框架表明，从原型机点亮光源到真正制造出合格的芯片，仍面临多项技术挑战。
世界领先的半导体制造商台积电自2019年开始在其N7+工艺节点使用EUV技术，而英特尔则在2023年的Intel 4工艺中开始采用这项技术。
全球EUV设备主导者荷兰ASML，已经在2023年推出了采用更高数值孔径（High-NA）的下一代EUV设备。这意味着即使中国的EUV原型机成功，在技术上仍落后于世界先进水平约一代以上的差距。
行业反应与国内进展
国际上对中国EUV光刻机突破的反应已经开始显现。一家专注于技术报道的国际媒体将其描述为 "中国绕过美国禁令的EUV芯片制造突破" 。
在深圳以外，上海微电子已于2024年9月公开了名为"极紫外辐射发生装置及光刻设备"的发明专利。
这家国内领先的光刻机制造商在28纳米浸没式光刻机研发上也已取得进展，但其EUV技术仍处于预研阶段。
半导体行业观察者指出，深圳这台能够稳定产生极紫外光源的机器已经实现了西方"最不愿看到"的突破。一旦第一台原型机能够正常工作，后续的规模化改进和工程化优化进程将会显著加快。
